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      從PCB制造到組裝一站式服務(wù)

      制作技術(shù)分析之高分辨率圖象

      2013
      05/06
      本篇文章來(lái)自
      捷多邦

      隨著器件的微型化、多功能化和電子封裝技術(shù)的飛速進(jìn)展。印制電路設(shè)計(jì)更趨向高密度化、高精度、高可靠和窄間距、細(xì)線條、微孔化方向發(fā)展。使印制電路板的制造技術(shù)難度更高,其中特別是精密圖象的制作成為關(guān)鍵工序之一?,F(xiàn)就以下印制電路板技術(shù)要求進(jìn)行工藝性的探討。

      · 導(dǎo)線節(jié)距:0.40mm;

      · 內(nèi)層導(dǎo)線:0.05mm;

      · 外層導(dǎo)線:0.05-0.0762mm;

      · 內(nèi)層銅層厚度:10um;

      · 層數(shù):10-20層;

      · 填充厚度:0.05-0.127mm;

      · 盲孔和埋孔:0.05-0.20mm。

      根據(jù)以上提出的技術(shù)條件。要制作精細(xì)電路圖形是很困難的。即要保證產(chǎn)品的高質(zhì)量和高可靠性,還要保持較高的生產(chǎn)效率和較低的制造成本。為達(dá)到此目的,就首先必須對(duì)精密圖象的制作技術(shù)難點(diǎn)進(jìn)行科學(xué)的分析,從中找出規(guī)律性的東西,以提高制作高密度精細(xì)圖形的成功率。

      圖象的形成和失真

      在圖象形成的過(guò)程中,首先分析上述所提供的技術(shù)數(shù)據(jù),要制作高品質(zhì)的電路圖形必須具備有高質(zhì)量的底片、薄的光敏抗蝕膜和超薄的銅箔,它是確保電路圖形高品質(zhì)表面和內(nèi)在質(zhì)量關(guān)鍵因素。但往往由于內(nèi)外原因產(chǎn)生圖象某些程度的失真。圖象失真的量對(duì)圖象的特征將會(huì)產(chǎn)生無(wú)可挽救的缺陷。如果在2.54mm間距之內(nèi)允許導(dǎo)線的寬度增加到0.05mm,但在0.05mm間距就很容易產(chǎn)生短路。此外,圖象失真與原材料的表面狀態(tài)和加工過(guò)程中產(chǎn)生的質(zhì)量缺陷有關(guān)。特別是在覆銅箔層壓板的表面存在有凹坑、凸出物、和沾污等,都會(huì)導(dǎo)致光敏抗蝕劑結(jié)合力的降低,使制作出來(lái)的電路圖象就會(huì)與原圖的技術(shù)要求相距太遠(yuǎn)。同時(shí)圖象的制作離不開(kāi)光具-底片,而介于透明和不透明的區(qū)域內(nèi)可能存在針孔、暗斑,曝光過(guò)程中就會(huì)阻礙散射光的通過(guò)或者光射到銅的表面,非直線光能夠在光掩膜的背面產(chǎn)生半暗影。光敏抗蝕劑的厚度的均勻性在制造上也很難達(dá)到一致性,同時(shí)又受到溫度和時(shí)間的變化,導(dǎo)致膜質(zhì)量的變化,也會(huì)嚴(yán)重地影響電路圖象的質(zhì)量。

      二. 測(cè)量圖象的變化

      圖象轉(zhuǎn)移后電路圖形是可以測(cè)量的。在刻度尺范圍內(nèi)從零開(kāi)始,當(dāng)圖象不完整時(shí),圖象變化校正到刻度尺1的范圍。評(píng)價(jià)所獲得不同導(dǎo)線/間距的變化是在每毫米成對(duì)導(dǎo)線/間距是相等的。圖象變化的曲線量為導(dǎo)線/間距的頻數(shù)的函數(shù)。調(diào)節(jié)變化特性(MTF)表明:制作電路圖象逼真度直接與加工特性有關(guān)。當(dāng)MTF和圖象質(zhì)量水平降低到1以下時(shí),成對(duì)導(dǎo)線計(jì)算頻數(shù)被稱之謂斷開(kāi)頻數(shù),即表示邊線介于可靠和不可靠加工之間。除了這點(diǎn)外,精細(xì)導(dǎo)線和間距制造是處于不均稱的低產(chǎn)出的結(jié)果。

      采用MTF方法適用于單個(gè)電路圖象測(cè)量步驟或者使用全部圖象通過(guò)增加個(gè)別的加工特性,以獲取完整的工藝特性。如果采取的工藝步驟對(duì)形成電路圖象質(zhì)量影響比較大,也是最不穩(wěn)定的工序時(shí),必須進(jìn)行調(diào)節(jié)采取最少和有效的工步,以達(dá)到產(chǎn)出的最實(shí)際的效果和提高它的可靠性。

      精細(xì)導(dǎo)線圖形制作原材料的變化

      精細(xì)導(dǎo)線制作的高質(zhì)量和高產(chǎn)量是通過(guò)高精尖的工藝裝備、強(qiáng)化過(guò)程控制和人員的熟練程度是可以保證的。特別是光敏抗蝕劑的研究,從常規(guī)使用的干膜轉(zhuǎn)換到液態(tài)抗蝕劑,并運(yùn)用到實(shí)際生產(chǎn)中去。它提供薄的膜層和內(nèi)在的高分辯率?,F(xiàn)最為典型的是采用滾涂和噴涂技術(shù),非常適用于制作高密度的印制電路板。目前較為困難的是要求有較大的投資。但與現(xiàn)實(shí)生產(chǎn)廣泛采用的干膜比較,還存在可靠性的問(wèn)題。盡管它具有很大的潛力,但對(duì)制作精細(xì)導(dǎo)線圖象,液體抗蝕劑并不代表一種完全可靠和可行的工藝技術(shù)。

      四.高產(chǎn)量和高分辯率的抗蝕劑技術(shù)

      制作電路圖形的關(guān)鍵就是正確的選擇光敏抗蝕劑,它是圖象成形的關(guān)鍵。要制作高質(zhì)量的圖象,還必須具備品質(zhì)高的光具-底片。通過(guò)曝光光源的控制,充分利用光敏抗蝕劑所具有的高分辯率,來(lái)達(dá)到提高精細(xì)導(dǎo)線制作的產(chǎn)量。通常經(jīng)過(guò)曝光和非曝光區(qū)域是有很大的差別的,也就是介于曝光和非曝光抗蝕劑部分是有差別的,即在曝光區(qū)域內(nèi)的抗蝕膜結(jié)合力更好和更可靠;而非曝光區(qū)域的抗蝕膜需要快速的清理、顯影才能使介于這個(gè)范圍抗蝕膜成象的失真度最小??刮g劑所具有的反差與介于曝光光的輸入和抗蝕劑的聚合程度有關(guān)。在圖象轉(zhuǎn)移過(guò)程中。對(duì)圖象質(zhì)量的優(yōu)劣與可能產(chǎn)生的缺陷的預(yù)測(cè)是不可能的。一般高反差的抗蝕劑幾乎都是雙特性曲線即聚合到高穩(wěn)定狀態(tài)通常是在中等曝光正確確定的工藝范圍以內(nèi)。

      MTF與反差成正比例,反差的額定值比1高,而MTF也比1高。所以,高反差的抗蝕劑是能夠校正其成象的模糊程度。這歸功于它具有較高的聚合度,經(jīng)過(guò)曝光后膜層的結(jié)合力更牢。同時(shí),在相當(dāng)高的曝光能量下,使圖象的逼真度接近實(shí)際原設(shè)計(jì)的技術(shù)要求。因?yàn)榻?jīng)曝光的抗蝕劑在顯影過(guò)程中更加穩(wěn)定而可靠,而非曝光的抗蝕劑又很容易清洗去除。

      五.高密度圖象分辯率加工程序

      按照目前的所使用的干膜材料和加工工藝要達(dá)到減少圖象的失真和制作出導(dǎo)線寬度為0.10-0.15mm圖象,就其干膜的分辯率而言,即是增加其反差在1.2—1.7以上,也達(dá)不到設(shè)計(jì)所提出的技術(shù)要求。為此,需要進(jìn)一步增加干膜的反差,就必須增加具有輔助圖象加工特性的新工序-HDI。

      HDI就是在曝光后和覆蓋膜除去及顯影前,將板浸在熱水中(85-95℃)時(shí)間最少5秒、最多120秒。實(shí)踐證明最佳時(shí)間為30秒。并建議短暫的冷卻。為確保能提高其分辯率,曝光后到浸熱水之間盡量少于1分鐘。
          在加熱過(guò)程中,溫度超過(guò)抗蝕劑的軟化點(diǎn)。而HDI基本原理:主要由于單體從非曝光區(qū)遷移到曝光區(qū)內(nèi)抗蝕劑加速了反應(yīng)和抗蝕劑的化學(xué)聚合速度達(dá)到了增加膜層的硬度;而沒(méi)有經(jīng)過(guò)HDI加工序的曝光后的膜層其最大硬度是中等。在非曝光區(qū)域內(nèi)抗蝕劑最高能量和單體的軟化程度是最低的;顯影期間由于執(zhí)蝕劑邊緣稍微硬,加上單體的溶解和顯影不完全,尤其在電鍍時(shí)會(huì)產(chǎn)生所不希望的邊緣的溶解。

      采用HDI加工工序,不但曝光后的膜層硬度增加,它還具有高的穩(wěn)定性。顯影時(shí)由于經(jīng)過(guò)輔助工序處理,導(dǎo)線邊緣側(cè)壁逐漸硬度增加而邊緣整齊不變形。再由于單體從非曝光區(qū)遷移,單體減少使非曝光區(qū)抗蝕劑更具親水性,所以也就更加容易被顯影液所溶解除去。

      六.結(jié)論

      采用此種輔助工序加工,達(dá)到了提高干膜分辯率的最終目的??刂谱麟x密度圖象在現(xiàn)有的工藝條件下,就有可能保質(zhì)保量的達(dá)到上述設(shè)計(jì)所提出的技術(shù)指標(biāo)。當(dāng)然還有它的局限性,因?yàn)榇朔N工藝方法,是否對(duì)所有的抗蝕劑都起良好的作用,還待進(jìn)一步的開(kāi)發(fā)和研究。

       


      the end