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      突破15Gb/mm2!國產3D NAND催生線路板技術新范式

      2025
      10/20
      本篇文章來自
      捷多邦

      2025 10 月長江存儲宣布 232 3D NAND 芯片量產,以 15.03 Gb/mm2 的位密度超越三星、SK 海力士,標志著中國在存儲芯片領域實現關鍵突破。這款芯片不僅讓消費級 SSD 銷量反超三星,更給線路板行業(yè)帶來了技術適配與市場擴容的雙重機遇。

       

      3D NAND 的垂直堆疊架構重塑了線路板的設計邏輯。232 層芯片通過階梯式堆疊實現容量躍升,其信號傳輸需依賴線路板的多層布線進行 “分層引導”。長江存儲采用的 16 層線路板方案,通過埋孔與盲孔的交替設計,將不同層級芯片的信號精準接入主控單元,這種結構較 128 NAND 所用的 12 層線路板,新增了 4 層信號隔離層,可有效減少高頻信號串擾。據行業(yè)數據,2025 3D 封裝板市場規(guī)模預計將達 62.3 億元,其中 3D NAND 配套需求占比超 35%。

       

      兼容性要求推動線路板工藝標準化。長江存儲的 232 NAND 需適配消費電子、數據中心等多場景,要求線路板既能滿足 PC 端的輕薄需求(厚度≤0.8mm),又能承受服務器環(huán)境的高溫考驗(工作溫度 - 40℃至 85℃)。為此,線路板企業(yè)采用 “柔性基板 + 剛性邊框” 的混合結構,柔性部分負責信號柔性傳輸,剛性邊框提供機械支撐,這種設計已成為 3D NAND 通用配套方案。

       

      國產替代帶來的產能紅利更為顯著。長江存儲三期擴產后目標占據全球 15% 市場份額,每百萬片 3D NAND 晶圓需配套超 200 萬平米高端線路板。更重要的是,國產線路板企業(yè)通過與長江存儲的聯(lián)合研發(fā),在低介電常數覆銅板、高精度層壓等技術上實現突破,使國產化率從 2024 年的 75% 提升至 78% 以上。這種產業(yè)鏈協(xié)同,正打破外資企業(yè)在高端存儲線路板領域的壟斷。

       

      從技術適配到產能配套,線路板行業(yè)正深度參與國產存儲芯片的崛起進程。當長江存儲的 232 NAND 走進千家萬戶,線路板的工藝精度與國產化能力,已成為衡量存儲產業(yè)鏈韌性的重要標尺。


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